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IDT70T3319S166DDG

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM X 1.4 MM, GREEN, TQFP-144
产品类别存储   
文件大小304KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT70T3319S166DDG概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM X 1.4 MM, GREEN, TQFP-144

IDT70T3319S166DDG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明20 X 20 MM X 1.4 MM, GREEN, TQFP-144
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.6 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G144
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量2
端子数量144
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP144,.87SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度20 mm
Base Number Matches1

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