07102GOB,07102GOB pdf中文资料,07102GOB引脚图,07102GOB电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> 07102GOB

07102GOB: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小123KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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07102GOB概述

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN

07102GOB规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-94
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	100 µs
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us
最大直流栅极触发电流	100 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	200 mA
JEDEC-95代码	TO-209AC
JESD-30 代码	O-MUPM-H3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	110 A
重复峰值关态漏电流最大值	10000 µA
断态重复峰值电压	200 V
重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	HIGH CURRENT CABLE
端子位置	UPPER
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

07102GOB相似产品对比

	07102GOB	07103GOB	07102GOC	07103GOC
描述	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-209AC, 3 PIN
零件包装代码	TO-94	TO-94	TO-94	TO-94
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
针数	4	4	4	4
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	100 µs	100 µs	100 µs	100 µs
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us	200 V/us	200 V/us	200 V/us
最大直流栅极触发电流	100 mA	100 mA	100 mA	100 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
JEDEC-95代码	TO-209AC	TO-209AC	TO-209AC	TO-209AC
JESD-30 代码	O-MUPM-H3	O-MUPM-H3	O-MUPM-X3	O-MUPM-X3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	110 A	110 A	110 A	110 A
重复峰值关态漏电流最大值	10000 µA	10000 µA	10000 µA	10000 µA
断态重复峰值电压	200 V	300 V	200 V	300 V
重复峰值反向电压	200 V	300 V	200 V	300 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1
厂商名称	-	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Is Samacsys	-	N	N	N

推荐资源

采用TDA2004的立体声功率放大输出电路01

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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