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IRF9540NSPBF

产品描述23 A, 100 V, 0.117 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小325KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRF9540NSPBF概述

23 A, 100 V, 0.117 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

23 A, 100 V, 0.117 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IRF9540NSPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码D2PAK
包装说明LEAD FREE, D2PAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)84 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)23 A
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.117 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值94 W
最大功率耗散 (Abs)110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)92 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF9540NSPBF相似产品对比

IRF9540NSPBF IRF9540NLPBF
描述 23 A, 100 V, 0.117 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 23 A, 100 V, 0.117 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 D2PAK TO-262AA
包装说明 LEAD FREE, D2PAK-3 LEAD FREE, TO-262, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 84 mJ 84 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 23 A 23 A
最大漏极电流 (ID) 23 A 23 A
最大漏源导通电阻 0.117 Ω 0.117 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 92 A 92 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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