512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | QIMONDA |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, |
针数 | 66 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
长度 | 22.22 mm |
内存密度 | 536870912 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 10.16 mm |
HYI25DC512800CE-5 | HYI25DC512160CE | HYI25DC512160CE-5 | HYI25DC512800CE | HYI25DC512800CE-6 | HYI25DC512160CE-6 | |
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描述 | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | 512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | - | 符合 | 符合 |
厂商名称 | QIMONDA | - | QIMONDA | - | QIMONDA | QIMONDA |
零件包装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, | - | TSOP2, | - | TSOP2, | TSOP2, |
针数 | 66 | - | 66 | - | 66 | 66 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.5 ns | - | 0.5 ns | - | 0.7 ns | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 |
长度 | 22.22 mm | - | 22.22 mm | - | 22.22 mm | 22.22 mm |
内存密度 | 536870912 bi | - | 536870912 bi | - | 536870912 bi | 536870912 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | - | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 | - | 16 | - | 8 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 66 | - | 66 | - | 66 | 66 |
字数 | 67108864 words | - | 33554432 words | - | 67108864 words | 33554432 words |
字数代码 | 64000000 | - | 32000000 | - | 64000000 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 64MX8 | - | 32MX16 | - | 64MX8 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | - | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 | - | 260 | 260 |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | - | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | - | YES | - | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | - | 2.3 V | - | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | - | YES | - | YES | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | - | 0.65 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | 40 | - | 40 | 40 |
宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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