HYB18TC256160AF-3.7,HYB18TC256160AF-3.7 pdf中文资料,HYB18TC256160AF-3.7引脚图,HYB18TC256160AF-3.7电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18TC256160AF-3.7: 产品描述256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共55页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18TC256160AF-3.7概述

256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM

HYB18TC256160AF-3.7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm
内存密度	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.0045 A
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10 mm

HYB18TC256160AF-3.7相似产品对比

	HYB18TC256160AF-3.7	HYB18TC256160AF-3S	HYB18TC256160AF-5	HYB18TC256160AF_1
描述	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM	256-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM DDR2 SDRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
厂商名称	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	-
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	-
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	-
针数	84	84	84	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.6 ns	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	333 MHz	200 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	-
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	-
长度	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	-
内存密度	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi	-
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-
内存宽度	16	16	16	-
湿度敏感等级	3	3	3	-
功能数量	1	1	1	-
端口数量	1	1	1	-
端子数量	84	84	84	-
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	-
字数代码	16000000	16000000	16000000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	-
组织	16MX16	16MX16	16MX16	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	-
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	8192	8192	8192	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-
自我刷新	YES	YES	YES	-
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	-
最大待机电流	0.0045 A	0.005 A	0.004 A	-
最大压摆率	0.15 mA	0.157 mA	0.14 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-
表面贴装	YES	YES	YES	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	-
端子形式	BALL	BALL	BALL	-
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	-
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	-

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