71321LA25TFG,71321LA25TFG pdf中文资料,71321LA25TFG引脚图,71321LA25TFG电路-Datasheet-电子工程世界

71321LA25TFG: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64; 产品类别存储; 文件大小140KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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71321LA25TFG概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP, QFP64,.47SQ,20
针数	64
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3
长度	10 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	64
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP64,.47SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.0015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

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