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IDT6116LA19L32G

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
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文件大小275KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT6116LA19L32G概述

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT6116LA19L32G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN,
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间19 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e3
长度13.97 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11.43 mm
Base Number Matches1
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