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BYZ35A33概述

10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
包装说明	O-MUPF-P1
针数	1
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL CLASSIFICATION
最大击穿电压	35 V
最小击穿电压	31 V
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-MUPF-P1
JESD-609代码	e2
最大非重复峰值反向功率耗散	8000 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	26 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

BYZ 35A22 ... BYZ 35K39

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Units

Silicon Press-fit

diodes

Silicon Protectifiers with

TVS characteristics

High-temperature diodes

BYZ 35A22 ...BYZ 35K39

Pulse Power

Dissipation: 8000 W

Maximum Stand-off

voltage: / V

Publish Data

Features

Mechanical Data

Dimensions in mm

10-04-2006 SCT

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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