7 A, 30 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
7 A, 30 V, 0.028 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 8 |
最小击穿电压 | 30 V |
加工封装描述 | SO-8 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | P-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 7 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0280 ohm |
最大漏电流脉冲 | 28 A |
STS7PF30L_07 | S7PF30L | |
---|---|---|
描述 | 7 A, 30 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 7 A, 30 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
端子数量 | 8 | 8 |
最小击穿电压 | 30 V | 30 V |
加工封装描述 | SO-8 | SO-8 |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子涂层 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
端子位置 | DUAL | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
通道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 7 A | 7 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0280 ohm | 0.0280 ohm |
最大漏电流脉冲 | 28 A | 28 A |
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