5962-89783012A放大器基础信息:
5962-89783012A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-20
5962-89783012A放大器核心信息:
5962-89783012A的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为22025℃下的最大偏置电流为:0.015 µA他的最大平均偏置电流为0.02 µA
厂商给出的5962-89783012A的最大压摆率为0.06 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为50000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-89783012A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为20 kHz。
5962-89783012A的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-1.5/+-15 V。5962-89783012A的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-89783012A的相关尺寸:
5962-89783012A的宽度为:8.89 mm,长度为8.89 mm5962-89783012A拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
5962-89783012A放大器其他信息:
5962-89783012A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。5962-89783012A的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。
5962-89783012A不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-89783012A的封装代码是:QCCN。5962-89783012A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。5962-89783012A封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为2.54 mm。
5962-89783012A放大器基础信息:
5962-89783012A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-20
5962-89783012A放大器核心信息:
5962-89783012A的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为22025℃下的最大偏置电流为:0.015 µA他的最大平均偏置电流为0.02 µA
厂商给出的5962-89783012A的最大压摆率为0.06 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为50000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-89783012A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为20 kHz。
5962-89783012A的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-1.5/+-15 V。5962-89783012A的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-89783012A的相关尺寸:
5962-89783012A的宽度为:8.89 mm,长度为8.89 mm5962-89783012A拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
5962-89783012A放大器其他信息:
5962-89783012A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。5962-89783012A的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。
5962-89783012A不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-89783012A的封装代码是:QCCN。5962-89783012A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。5962-89783012A封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。其端子形式有:NO LEAD。座面最大高度为2.54 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.015 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 500 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 低-失调 | YES |
| 微功率 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 220 |
| 电源 | +-1.5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最小摆率 | 5 V/us |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 20 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| 5962-89783012A | 5962-8978301PA | |
|---|---|---|
| 描述 | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 0.02 MHz BAND WIDTH, CQCC20, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-20, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 0.02 MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | QLCC | DIP |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-20 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 20 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.015 µA | 0.015 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | 90 dB |
| 频率补偿 | NO | NO |
| 最大输入失调电压 | 500 µV | 500 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-失调 | YES | YES |
| 微功率 | YES | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP8,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 220 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.5/+-15 V | +-1.5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 5 V/us | 5 V/us |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 20 kHz | 20 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 | 50000 |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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