电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

71V65903S75BQG

产品描述ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165
产品类别存储    存储   
文件大小510KB,共26页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

71V65903S75BQG概述

ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165

71V65903S75BQG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.275 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

71V65903S75BQG相似产品对比

71V65903S75BQG 71V65903S75BQGI
描述 ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165 ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
包装说明 BGA, BGA165,11X15,40 BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code compliant compliant
最长访问时间 7.5 ns 7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e1 e1
内存密度 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18
湿度敏感等级 3 3
端子数量 165 165
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 512KX18 512KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.04 A 0.06 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.275 mA 0.295 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
Base Number Matches 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 60  389  481  590  672 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved