IDT70T9159L9BFGI,IDT70T9159L9BFGI pdf中文资料,IDT70T9159L9BFGI引脚图,IDT70T9159L9BFGI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70T9159L9BFGI: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100; 产品类别存储; 文件大小253KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70T9159L9BFGI概述

Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	FPBGA-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PBGA-B100
JESD-609代码	e3
长度	10 mm
内存密度	73728 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	100
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

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