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BY4_07

产品描述1 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共1页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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BY4_07概述

1 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Si-Rectifiers
Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Version 2006-09-07
Nominal current
Nennstrom
6.3
1 A ... 0.3 A
4000...16000 V
Ø 6.3 x 21 [mm]
1.9 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
65
±0.5
21
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2
±0.05
Standard packaging bulk
Standard Lieferform ungegurtet
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
BY4
BY6
BY8
BY12
BY16
Grenz- und Kennwerte
Forward volt.
Durchlass-Spg.
V
F
[V]
2
)
< 4.0
< 6.0
< 8.0
< 10.0
< 15.0
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg.
Dauergrenzstrom
V
RRM
[V]
V
RSM
[V]
I
FAV
[A]
1
)
4000
6000
8000
12000
16000
4000
6000
8000
12000
16000
1.0
1.0
0.5
0.5
0.3
Leakage Current
Sperrstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
i
2
t
< 1 µA
< 25 µA
100 A
50 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
< 25 K/W
1
)
T
j
T
S
R
thA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
At / Bei I
FAV
,T
j
= 25°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1

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BY4_07 BY4 BY6 BY8 BY16 BY12
描述 1 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 4000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 6000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 0.5 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, RECTIFIER DIODE SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - DIOTEC DIOTEC DIOTEC - DIOTEC
包装说明 - O-PALF-W2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数 - 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code - compli compli compli compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 4 V 6 V 8 V 15 V 8 V
JESD-30 代码 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
湿度敏感等级 - 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 - 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 - 1 1 1 1 1
端子数量 - 2 2 2 2 2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 - 1 A 1 A 0.5 A 0.3 A 0.5 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 4000 V 6000 V 8000 V 16000 V 12000 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO
端子形式 - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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