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BCW60D

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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BCW60D概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

BCW60D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称DIOTEC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.55 V

BCW60D相似产品对比

BCW60D BCW60B BCW60A BCW60C
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称 DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 70 50 90
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
湿度敏感等级 1 1 - 1
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