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30DF6

产品描述Rectifier Diode,
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小36KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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30DF6概述

Rectifier Diode,

30DF6规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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3JH45
PRV : 600 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
Pb / RoHS Free
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
MIN.
0.3.75 (9.53)
0.285 (7.24)
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.21 grams
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak One Cycle Surge Forward
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
VALUE
600
3.0
77
1.2
100
200
38
- 40 to + 150
- 40 to + 150
UNIT
V
A
A
V
µA
ns
°C/W
°C
°C
Current ( Non-Repetitive )
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 3 A
Maximum Repetitive Peak Reverse Current at V
RRM
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Thermal Resistance - Junction to Ambient
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 1A, di/dt = -30A/
µ
s
V
F
I
R
Trr
R
θ
JA
T
J
T
STG
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 25, 2005

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