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31DF2(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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31DF2(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27,

31DF2(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.98 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
31DF1(Z) --- 31DF2(Z)
VOLTAGE RANGE: 100 --- 200 V
CURRENT: 1.6 A
SUPER FAST RECTIFIERS
DO - 27
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and
similar solvents
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL-STD202,method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
31DF1
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
31DF2
200
140
200
1.6
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
10ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
125.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ I
F
=1.6A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T =25
A
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.98
5.0
50.0
30
90
34
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0264016
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

31DF2(Z)相似产品对比

31DF2(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
应用 SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.98 V
JEDEC-95代码 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 1.6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
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