256K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PQFP100
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.46 V |
最小供电/工作电压 | 3.14 V |
额定供电电压 | 3.3 V |
最大存取时间 | 4.2 ns |
加工封装描述 | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
状态 | DISCONTINUED |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLATPACK, LOW PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.6500 mm |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | QUAD |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 36 |
组织 | 256K X 36 |
存储密度 | 9.44E6 deg |
操作模式 | SYNCHRONOUS |
位数 | 262144 words |
位数 | 256K |
内存IC类型 | ZBT SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved