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KK4503BN

产品描述Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小210KB,共6页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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KK4503BN概述

Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS

KK4503BN规格参数

参数名称属性值
厂商名称KODENSHI
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknow
控制类型ENABLE LOW
JESD-30 代码R-PDIP-T14
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
位数6
功能数量2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Su300 ns
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

KK4503BN相似产品对比

KK4503BN KK4503BD KK4503B
描述 Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS
厂商名称 KODENSHI KODENSHI -
包装说明 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
控制类型 ENABLE LOW ENABLE LOW -
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF -
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER BUS DRIVER -
位数 6 6 -
功能数量 2 2 -
端子数量 14 14 -
最高工作温度 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
输出特性 3-STATE 3-STATE -
输出极性 TRUE TRUE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 DIP SOP -
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE -
电源 5/15 V 5/15 V -
Prop。Delay @ Nom-Su 300 ns 300 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY MILITARY -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL -

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