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KK4019BN

产品描述Quad AND/OR Select Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小182KB,共5页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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KK4019BN概述

Quad AND/OR Select Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS

KK4019BN规格参数

参数名称属性值
厂商名称KODENSHI
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknow
JESD-30 代码R-PDIP-T16
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型OR GATE
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Su600 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

KK4019BN相似产品对比

KK4019BN KK4019B KK4019BDW
描述 Quad AND/OR Select Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS Quad AND/OR Select Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS Quad AND/OR Select Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS
厂商名称 KODENSHI - KODENSHI
包装说明 DIP, DIP16,.3 - SOP, SOP16,.25
Reach Compliance Code unknow - unknow
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 - R-PDSO-G16
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF
逻辑集成电路类型 OR GATE - OR GATE
端子数量 16 - 16
最高工作温度 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - SOP
封装等效代码 DIP16,.3 - SOP16,.25
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE
电源 5/15 V - 5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Su 600 ns - 600 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
施密特触发器 NO - NO
表面贴装 NO - YES
技术 CMOS - CMOS
温度等级 MILITARY - MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子节距 2.54 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL
Base Number Matches 1 - 1

 
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