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IDT70V7339S200BC

产品描述Dual-Port SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
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文件大小220KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V7339S200BC概述

Dual-Port SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256

IDT70V7339S200BC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.95 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
IDT70V7339S
512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
SRAM Architecture
64 independent 8K x 18 banks
– 9 megabits of memory on chip
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) and
256-pin Ball Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
PL/FT
L
OPT
L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
REPEAT
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
UB
L
LB
L
OE
L
PL/FT
R
OPT
R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
REPEAT
R
R/W
R
CE
0R
CE
1R
UB
R
LB
R
OE
R
CONTROL
LOGIC
MUX
8Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
MUX
CONTROL
LOGIC
I/O
0L-17L
I/O
CONTROL
MUX
8Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 1)
MUX
I/O
CONTROL
I/O
0R-17R
A
12L
A
0L
BA
5L
BA
4L
BA
3L
BA
2L
BA
1L
BA
0L
ADDRESS
DECODE
ADDRESS
DECODE
A
12R
A
0R
BA
5R
BA
4R
BA
3R
BA
2R
BA
1R
BA
0R
BANK
DECODE
MUX
8Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
BANK
DECODE
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 18
for details.
MUX
,
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5628 drw 01
APRIL 2010
1
DSC 5628/9
©2010 Integrated Device Technology, Inc.
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