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FM24CL64_07

产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8
产品类别存储   
文件大小115KB,共13页
制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
官网地址http://www.cypress.com/
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FM24CL64_07概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8

专用存储器电路, PDSO8

FM24CL64_07规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.65 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
加工封装描述GREEN, MS-012AA, SOIC-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距1.27 mm
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织8K X 8
存储密度65536 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数8192 words
位数8K
内存IC类型MEMORY CIRCUIT

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FM24CL64
64Kb Serial 3V FRAM Memory
Features
64K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
Organized as 8,192 x 8 bits
Unlimited Read/Write Cycles
45 year Data Retention
NoDelay™ Writes
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process
Fast Two-wire Serial Interface
Up to 1 MHz maximum bus frequency
Direct hardware replacement for EEPROM
Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz
Low Power Operation
True 2.7V-3.6V Operation
75
µA
Active Current (100 kHz)
1
µA
Standby Current
Industry Standard Configuration
Industrial Temperature -40° C to +85° C
8-pin SOIC and 8-pin DFN Packages
“Green” Packaging Options
Description
The FM24CL64 is a 64-kilobit nonvolatile memory
employing an advanced ferroelectric process. A
ferroelectric random access memory or FRAM is
nonvolatile and performs reads and writes like a
RAM. It provides reliable data retention for 45 years
while eliminating the complexities, overhead, and
system level reliability problems caused by
EEPROM and other nonvolatile memories.
The FM24CL64 performs write operations at bus
speed. No write delays are incurred. The next bus
cycle may commence immediately without the need
for data polling. In addition, the product offers write
endurance orders of magnitude higher than
EEPROM. Also, FRAM exhibits much lower power
during writes than EEPROM since write operations
do not require an internally elevated power supply
voltage for write circuits.
These capabilities make the FM24CL64 ideal for
nonvolatile memory applications requiring frequent
or rapid writes. Examples range from data collection
where the number of write cycles may be critical, to
demanding industrial controls where the long write
time of EEPROM can cause data loss. The
combination of features allows more frequent data
writing with less overhead for the system.
The FM24CL64 provides substantial benefits to users
of serial EEPROM, yet these benefits are available in
a hardware drop-in replacement. The FM24CL64 is
available in industry standard 8-pin SOIC and DFN
packages using a familiar two-wire protocol. It is
guaranteed over an industrial temperature range of
-40°C to +85°C.
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron
standard warranty. The product has completed Ramtron’s internal
qualification testing and has reached production status.
Rev. 3.1
Mar. 2005
Pin Configuration
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
Top View
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
Pin Names
A0-A2
SDA
SCL
WP
VSS
VDD
Function
Device Select Address
Serial Data/address
Serial Clock
Write Protect
Ground
Supply Voltage
Ordering Information
FM24CL64-S
FM24CL64-G
FM24CL64-DG
8-pin SOIC
“Green” 8-pin SOIC
“Green” 8-pin DFN
Ramtron International Corporation
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000
www.ramtron.com
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FM24CL64_07相似产品对比

FM24CL64_07 FM24CL64 FM24CL64-DG
描述 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
表面贴装 Yes Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 8 8 8
组织 8K X 8 8K X 8 8KX8
最大工作温度 85 Cel 85 Cel -
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -
最大供电/工作电压 3.65 V 3.65 V -
最小供电/工作电压 2.7 V 2.7 V -
额定供电电压 3 V 3 V -
加工封装描述 GREEN, MS-012AA, SOIC-8 GREEN, MS-012AA, SOIC-8 -
无铅 Yes Yes -
欧盟RoHS规范 Yes Yes -
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED -
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
端子间距 1.27 mm 1.27 mm -
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN -
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
存储密度 65536 deg 65536 deg -
操作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
位数 8K 8K -
内存IC类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT -
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