71256L25Y8,71256L25Y8 pdf中文资料,71256L25Y8引脚图,71256L25Y8电路-Datasheet-电子工程世界

71256L25Y8: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28; 产品类别存储; 文件大小482KB，共10页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71256L25Y8概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

71256L25Y8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
长度	17.9324 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最大待机电流	0.00012 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.5184 mm
Base Number Matches	1

71256L25Y8相似产品对比

	71256L25Y8	71256L25Y	71256L20Y8	71256L20Y
描述	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	25 ns	20 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
最大待机电流	0.00012 A	0.00012 A	0.00012 A	0.00012 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.115 mA	0.125 mA	0.135 mA	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm

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