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IDT7008S35GB

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84
产品类别存储   
文件大小164KB，共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7008S35GB概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84

IDT7008S35GB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明PGA, PGA84M,11X11
针数84
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P84
JESD-609代码e0
长度30.48 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA84M,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.335 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度30.48 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED
64K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
x
x
x
IDT7008S/L
x
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Military: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 55ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT7008S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7008L
Active: 750mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT7008 easily expands data bus width to 16 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in 84-pin PGA, 84-pin PLCC, and a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
R/W
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I/O
0-7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0-7R
BUSY
L
A
15L
A
0L
(1,2)
BUSY
R
64Kx8
MEMORY
ARRAY
7008
16
16
(1,2)
Address
Decoder
Address
Decoder
A
15R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
L
SEM
L
(2)
INT
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0R
CE
1R
OE
R
R/W
R
SEM
R
(2)
INT
R
3198 drw 01
M/S
(1)
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S = V
IL
) and an output when it is a Master (M/S = V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
MAY 2000
DSC 3198/6
1
©2000 Integrated Device Technology, Inc.

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描述 Dual-Port SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.12 X 1.12 INCH, 0.16 INCH HEIGHT, PGA-84
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA
包装说明 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11
针数 84 84 84 84 84 84 84
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B EAR99 3A001.A.2.C EAR99
最长访问时间 35 ns 55 ns 20 ns 20 ns 25 ns 25 ns 55 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 84 84 84 84 84 84 84
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA
封装等效代码 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 225 225 225 225 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.005 A 0.015 A 0.015 A 0.03 A 0.015 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.335 mA 0.31 mA 0.285 mA 0.325 mA 0.305 mA 0.345 mA 0.27 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
宽度 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm

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