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70V07S35GG8

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68
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文件大小162KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70V07S35GG8概述

Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68

70V07S35GG8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明PGA,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码S-CPGA-P68
长度29.464 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量68
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度29.464 mm
Base Number Matches1

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描述 Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68 Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68 Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68 Dual-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
包装说明 PGA, PGA, PGA, PGA, QFP, QFP, PGA, QCCN,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 35 ns 35 ns 35 ns 55 ns 35 ns 35 ns 55 ns 25 ns
JESD-30 代码 S-CPGA-P68 X-PPGA-P68 X-PPGA-P68 S-CPGA-P68 X-PQFP-G80 X-PQFP-G80 S-CPGA-P68 S-PQCC-N68
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68 80 80 68 68
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装代码 PGA PGA PGA PGA QFP QFP PGA QCCN
封装形状 SQUARE UNSPECIFIED UNSPECIFIED SQUARE UNSPECIFIED UNSPECIFIED SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK GRID ARRAY CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG GULL WING GULL WING PIN/PEG NO LEAD
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR QUAD QUAD PERPENDICULAR QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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