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MMBD1205L99Z

产品描述0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小99KB,共3页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

MMBD1205L99Z概述

0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1205L99Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.05 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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