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1N5407A0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N5407A0G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2

1N5407A0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5400 - 1N5408
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
3A, 50V - 1000V Silicon Rectifiers
FEATURES
- High efficiency, Low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
1.2 g (approximately)
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@3A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
400
280
400
3
200
166
1.0
5
100
50
40
- 55 to +150
- 55 to +150
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
5400 5401 5402 5404 5406 5407 5408
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
μA
pF
°C/W
°C
°C
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
Document Number: DS_D1406023
Version: G15
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糊糊今天出门没吃药也没带药,糊糊又要疯疯癫癫一天鸟~ ...
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