5962-8965923YC概述

Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

5962-8965923YC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micross
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	22
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T22
JESD-609代码	e4
长度	27.94 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.89 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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5962-8965923YC相似产品对比

	5962-8965923YC	5962-8965923YA	5962-8965921YA	5962-8965919YA	5962-8965919YC	5962-8965921YC
描述	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,
针数	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	35 ns	45 ns	55 ns	55 ns	45 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22
JESD-609代码	e4	e0	e0	e0	e4	e4
长度	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	22	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm	3.89 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	GOLD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	GOLD	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
厂商名称	Micross	Micross	-	Micross	Micross	Micross

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