5962-9669108HXX,5962-9669108HXX pdf中文资料,5962-9669108HXX引脚图,5962-9669108HXX电路-Datasheet-电子工程世界

5962-9669108HXX: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36; 产品类别存储; 文件大小489KB，共10页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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5962-9669108HXX概述

Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DFP
包装说明	GDFP,
针数	36
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTS
JESD-30 代码	R-CDFP-F36
JESD-609代码	e4
长度	23.37 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	GDFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	2.897 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12.95 mm
Base Number Matches	1

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