IDT7028L20PF9,IDT7028L20PF9 pdf中文资料,IDT7028L20PF9引脚图,IDT7028L20PF9电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7028L20PF9: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100; 产品类别存储; 文件大小157KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7028L20PF9概述

Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

IDT7028L20PF9规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT7028L20PF9相似产品对比

	IDT7028L20PF9	IDT7028L15PF9	IDT7028L20PFG
描述	Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	LFQFP,
针数	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns	15 ns	20 ns
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e3
长度	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3
功能数量	1	1	1
端子数量	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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