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SF11_1

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小179KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SF11_1概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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SF11 - SF18
1.0 AMP. Super Fast Rectifiers
DO-41
Features
High efficiency, low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss.
For use in low voltage, high frequency inventor, free
wheeling, and polarity protection application
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, lead free., solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
lengths at 5 lbs., (2.3kg) tension
Weight: 0.34 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Symbol
SF SF SF SF
Type Number
11 12 13 14
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
V
RRM
50 100 150 200
Maximum RMS Voltage
V
RMS
35 70 105 140
Maximum DC Blocking Voltage
50 100 150 200
V
DC
Maximum Average Forward Rectified
Current .375 (9.5mm) Lead Length
@T
A
= 55
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 1.0A
o
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25 C
o
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes:
SF
15
300
210
300
SF
16
400
280
400
SF
17
500
350
500
SF
Units
18
600
V
420
V
600
V
A
A
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
1.0
30
0.95
5.0
100
35
30
70
-65 to +125
-65 to +150
15
o
1.3
1.7
V
uA
uA
nS
pF
C/W
o
C
o
C
T
STG
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
3. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on PCB.
Version: A06

SF11_1相似产品对比

SF11_1 SF13 SF15
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.95 V 1.3 V
JEDEC-95代码 - DO-41 DO-41
JESD-30 代码 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
湿度敏感等级 - 1 1
最大非重复峰值正向电流 - 30 A 30 A
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 1 A 1 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 150 V 300 V
最大反向恢复时间 - 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 - NO NO
端子形式 - WIRE WIRE
端子位置 - AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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