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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N914A-AP
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1N914A-AP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小221KB，共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N914A-AP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

1N914A-AP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N914(A)(B)

•
•
•
•
•
•
)HDWXUHV
Moisture Sensitivity Level 1
Low Current Leakage
Compression Bond Construction
Low Cost
Marking : Cathode band and type number
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Operating Temperature: -55 C to +150 C
Storage Temperature: -55
O
C to +150
O
C
Maximum Thermal Resistance; 300
O
C/W Junction To Ambient
O
O
500mW 100 Volt
Silicon Epitaxial
Diodes
DO-35
0D[LPXP5DWLQJV
•
•
•
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Maximum Repetitive
Reverse Voltage
Average Rectified
Forward Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Peak Forward Surge
Current
V
RRM
I
O
P
D
T
J
I
FSM
100V
200mA
500mW
150
O
C
1.0A
4.0A
100V
75V
A
D
Minimum Breakdown
Voltage
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1N914
1N914 A
1N914 B
1N914 B
Maximum Reverse
Current
Typical Junction
Capacitance
Reverse Recovery
Time
V
R
Pulse Width=1.0
second
Pulse Width=1.0
microsecond
I
R
=100uA,
I
R
=5.0uA
O
Cathode
Mark
B
D
C
V
F
1.0V
I
R
C
J
T
rr
720mV
25nA
5.0uA
50uA
4.0pF
4.0nS
T
J
= 25 C
I
FM
= 10mA;
I
FM
= 20mA;
I
FM
= 100mA;
I
FM
= 5.0mA;
O
V
R
=20V, T
J
=25 C,
O
V
R
=75V, T
J
=25 C,
O
V
R
=20V, T
J
=150 C
Measured at 1.0MHz,
V
R
=0V
I
F
=10mA
V
R
= 6V
R
L
=100 Ù, I
rr
=1.0mA
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MM
MIN
---
---
---
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.166
.079
.020
---
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
*Pulse test: Pulse width 300 usec, Duty cycle 2%
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.
Revision:
B
www.mccsemi.com
1 of 4
2012/01/01

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描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 General Specifications Board Connector, 34 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.039 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 - -
零件包装代码 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 - -
包装说明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 O-XALF-W2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 - -
针数 2 2 2 2 2 - -
Reach Compliance Code unknow compli unknow unknow compli - compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT - -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - -
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 - -
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - -
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 - -
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 - -
元件数量 1 1 1 1 1 - -
端子数量 2 2 2 2 2 - -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 105 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A - -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND - -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V - -
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs - -
表面贴装 NO NO NO NO NO - -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - -
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - -

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