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7200L20JG8

产品描述FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
产品类别存储   
文件大小119KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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7200L20JG8概述

FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32

7200L20JG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
最大时钟频率 (fCLK)33.3 MHz
周期时间30 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e3
内存密度2304 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X9
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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