FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 20 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 33.3 MHz |
周期时间 | 30 ns |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e3 |
内存密度 | 2304 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 9 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256X9 |
可输出 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
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