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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FR102SG
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FR102SG

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB，共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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FR102SG概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

FR102SG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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FR101SG - FR107SG
1.0 AMP. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
A-405
Features
Glass passivated chip junction.
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, Lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C /10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
lengths at 5lbs., (2.3kg) tension
Mounting position: Any
Weight: 0.22gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 55
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 1.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25
o
C
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125
o
C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Typical thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
FR
FR
FR
FR
FR
FR
FR
101SG 102SG 103SG 104SG 105SG 106SG 107SG
Units
V
V
V
V
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
30
1.3
5.0
100
150
250
15
75
-65 to +150
-65 to +150
500
A
V
uA
uA
nS
pF
o
C
/W
o
o
Storage Temperature Range
T
STG
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Notes:
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
3. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on P.C.B.
C
C
Version: A06

FR102SG相似产品对比

FR102SG FR101SG_1 FR104SG
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2 - GREEN, PLASTIC, A-405, 2 PIN
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS - HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V - 1.3 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 - e3
湿度敏感等级 1 - 1
最大非重复峰值正向电流 30 A - 30 A
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 1 A - 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V - 400 V
最大反向恢复时间 0.15 µs - 0.15 µs
表面贴装 NO - NO
端子面层 PURE TIN - PURE TIN
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL

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