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BY397

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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BY397概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

BY397规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO

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BY396
THRU
BY399
3.0 AMPS. Fast Recovery Rectifiers
Voltage Range
100 to 800 Volts
Current
3.0 Amperes
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
DO-201AD
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-
STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
lengths at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 1.2 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Symbol
BY396
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
V
RRM
100
Maximum RMS Voltage
V
RMS
70
Maximum DC Blocking Voltage
V
DC
100
Maximum Average Forward Rectified Current
.375”(9.5mm) Lead Length @T
A
= 55℃
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 3.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25℃
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=100℃
BY397
200
140
200
3.0
BY398
400
280
400
BY399
Units
800
560
800
V
V
V
A
A
V
uA
uA
nS
pF
O
C/W
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
150
1.2
5
100
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Trr
250
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Cj
50
Typical Thermal Resistance ( Note 3 )
40
R
θ
JA
Operating Temperature Range
T
J
-65 to +150
Storage Temperature Range
T
STG
-65 to +150
Notes:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
3. Mount on Cu-Pad Size 16mm x 16mm on P.C.B.
- 412 -

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描述 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknow unknown unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
湿度敏感等级 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 200 V 800 V 400 V
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.5 µs 0.5 µs
表面贴装 NO NO NO
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor -
Base Number Matches - 1 1
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