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IDT7132LA55FB

产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, CERAMIC, FP-48
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文件大小143KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7132LA55FB概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, CERAMIC, FP-48

IDT7132LA55FB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明QFF, QFL48,.75SQ
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-F48
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装等效代码QFL48,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度2.7432 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
SN75LVDS84/DS90CF363B
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