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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FR602G
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FR602G

产品描述6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小170KB，共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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FR602G概述

6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

FR602G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC, R-6, 2 PIN
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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FR601G - FR607G
6.0 AMPS. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
R-6
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, Lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C /10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
lengths at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Mounting position: Any
Weight: 1.65 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 55
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 6.0A
Maximum DC Reverse Current
@T
A
=25
o
C at Rated DC Blocking Voltage
@ T
A
=125
o
C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1)
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
FR
FR
FR
FR
FR
FR
FR
Units
601G 602G 603G 604G 605G 606G 607G
50
100
200
400
600
800 1000
V
35
70
140
280
420
560
700
V
50
100
200
400
600
800 1000
V
6.0
A
250
1.3
5.0
200
150
250
50
30
-65 to +150
-65 to +150
500
A
V
uA
uA
nS
pF
o
C/W
o
C
o
C
Storage Temperature Range
T
STG
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Notes:
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
3. Mount on Cu-Pad Size 16mm x 16mm on P.C.B.
Version: A06

FR602G相似产品对比

FR602G FR601G_1 FR601G FR603G FR604G
描述 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 GREEN, PLASTIC, R-6, 2 PIN - GREEN, PLASTIC, R-6, 2 PIN GREEN, PLASTIC, R-6, 2 PIN O-PALF-W2
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 FAST RECOVERY - FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V - 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
湿度敏感等级 1 - 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 250 A - 250 A 250 A 250 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 6 A - 6 A 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V - 50 V 200 V 400 V
最大反向恢复时间 0.15 µs - 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO - NO NO NO
端子面层 Pure Tin (Sn) - Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn)
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL

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