Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FR303

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FR303: 产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小168KB，共2页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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FR303概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27

FR303规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Taiwan Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	150 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子面层	PURE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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FR301 - FR307

3.0 AMPS. Fast Recovery Rectifiers

DO-201AD

Features

High efficiency, Low VF

High current capability

High reliability

High surge current capability

Low power loss.

Mechanical Data

Cases: Molded plastic

Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

Lead: Pure tin plated, Lead free., solderable

per MIL-STD- 202, Method 208 guaranteed

Polarity: Color band denotes cathode end

High temperature soldering guaranteed:

260

C/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead lengths

at 5 lbs.,(2.3kg) tension

Weight: 1.2 grams

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current .375”(9.5mm) Lead Length

= 55 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated

Load (JEDEC method )

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 3.0A

Maximum DC Reverse Current @ T

=25 C

at Rated DC Blocking Voltage @ T

=125 C

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1)

Typical Junction Capacitance ( Note 2 )

Typical Thermal resistance (Note 3)

Operating Temperature Range

Symbol

RRM

RMS

(AV)

FSM

Trr

θJA

301

302

100

303

200

140

200

304

400

280

400

3.0

305

600

420

600

306

800

560

800

Units

307

1000

700

1000

150

1.2

150

250

-65 to +150

500

C/W

Storage Temperature Range

STG

1. Reverse Recovery Test Conditions: I

=0.5A, I

=1.0A, I

=0.25A

Notes:

2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.

3. Mount on Cu-Pad Size 16mm x 16mm on P.C.B.

Version: A06

FR303相似产品对比

	FR303	FR301	FR301_1	FR302	FR306	FR304
描述	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	-	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compli	compli	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	-	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	-	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	1.3 V	-	1.3 V	1.3 V	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-201AD	DO-201AD	-	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	-	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	-	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	150 A	150 A	-	150 A	150 A	150 A
元件数量	1	1	-	1	1	1
相数	1	1	-	1	1	1
端子数量	2	2	-	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	3 A	3 A	-	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V	50 V	-	100 V	800 V	400 V
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs	-	0.15 µs	0.5 µs	0.15 µs
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO
端子面层	PURE TIN	PURE TIN	-	PURE TIN	PURE TIN	PURE TIN
端子形式	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL

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