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709159L9BFI

产品描述Dual-Port SRAM
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文件大小194KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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709159L9BFI概述

Dual-Port SRAM

709159L9BFI规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明BGA,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间9 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B100
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端子数量100
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 16/8K x 9
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
Features
709169/59L
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 6.5/7.5/9ns (max.)
Industrial: 7.5ns (max.)
Low-power operation
– IDT709169/59L
Active: 925mW (typ.)
Standby: 2.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either Port via
the
FT/PIPE
pins
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Functional Block Diagram
R/W
L
OE
L
CE
0L
CE
1L
FT/PIPE
L
S
T OR
R F
A D
P E
E D
T N
E E
S
L M
N
O M
S
IG
B
S
O
E
O EC
D
R EW
T N
O
N
Full synchronous operation on both ports
– 3.5ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 10ns cycle time,100MHz operation in Pipelined output mode
TTL- compatible, single 5V (±10%) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for 83MHz
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and 100-
pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) packages.
R/W
R
OE
R
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
0R
CE
1R
0/1
1
0
0
1
0/1
FT/PIPE
R
I/O
0L
- I/O
8L
I/O
0R
- I/O
8R
I/O
Control
I/O
Control
A
13L(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
13R(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
5653 drw 01
NOTE:
1. A
13
is a NC for IDT709159.
APRIL 2019
1
©2018 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-5653/4

709159L9BFI相似产品对比

709159L9BFI 709159L6BFI 709159L9PFI 709159L6PFI
描述 Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM Dual-Port SRAM
包装说明 BGA, BGA, QFP, QFP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 9 ns 6.5 ns 9 ns 6.5 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B100 S-PBGA-B100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
内存密度 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8KX9 8KX9 8KX9 8KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA QFP QFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING
端子位置 BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches 1 1 1 -
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