SIPMOS㈢ Power Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 460 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
最大漏极电流 (ID) | 80 A |
最大漏源导通电阻 | 0.01 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
BUZ110S | BUZ110SE3045 | BUZ110SE3045A | |
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描述 | SIPMOS㈢ Power Transistor | SIPMOS㈢ Power Transistor | SIPMOS㈢ Power Transistor |
零件包装代码 | TO-220AB | D2PAK | D2PAK |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
针数 | 3 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | _compli | compli | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 460 mJ | 460 mJ | 460 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
最大漏源导通电阻 | 0.01 Ω | 0.01 Ω | 0.01 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 200 W | 200 W | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A | 320 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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