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BUZ110S

产品描述SIPMOS㈢ Power Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ110S概述

SIPMOS㈢ Power Transistor

BUZ110S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)460 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

BUZ110S相似产品对比

BUZ110S BUZ110SE3045 BUZ110SE3045A
描述 SIPMOS㈢ Power Transistor SIPMOS㈢ Power Transistor SIPMOS㈢ Power Transistor
零件包装代码 TO-220AB D2PAK D2PAK
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 PLASTIC, TO-263, 3 PIN PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数 3 4 4
Reach Compliance Code _compli compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 460 mJ 460 mJ 460 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 80 A 80 A 80 A
最大漏极电流 (ID) 80 A 80 A 80 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω 0.01 Ω 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A 320 A 320 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
JESD-609代码 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1
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