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MBR3035PT_1

产品描述30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小212KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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MBR3035PT_1概述

30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247

MBR3035PT_1相似产品对比

MBR3035PT_1 MBR3045PT MBR3060PT MBR30150PT
描述 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD 30 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - R-PSFM-T3 GREEN, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN GREEN, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
Reach Compliance Code - compliant compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用 - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 - CATHODE CATHODE CATHODE
配置 - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 - TO-247AD TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A
元件数量 - 2 2 2
相数 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 15 A 15 A 15 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 45 V 60 V 150 V
表面贴装 - NO NO NO
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 - Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE
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