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SBS808M

产品描述1 A, 15 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SBS808M概述

1 A, 15 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

SBS808M规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.35 V
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压15 V
最大反向电流90 µA
最大反向恢复时间0.01 µs
反向测试电压6 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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Ordering number : ENN8350
SBS808M
SBS808M
Applications
Schottky Barrier Diode
15V, 1A Rectifier
High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).
Features
Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1A, VF max=0.43V).
Composite type with 2 low VF SBDs in one package, facilitating high-density mounting.
Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim.
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C (Value per element)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
50Hz sine wave, 1 cycle
Conditions
Ratings
15
15
1
10
--55 to +125
--55 to +125
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C (Value per element)
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
Symbol
VR
VF1
VF2
IR
C
trr
Rth(j-a)
IR=0.5mA
IF=0.5A
IF=1A
VR=6V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit.
Mounted on a ceramic board (600mm
!0.8mm)
2
Conditions
Ratings
min
15
0.32
0.39
20
10
138
0.35
0.43
90
typ
max
Unit
V
V
V
µA
pF
ns
°C
/ W
Marking : SD
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
62005SB MS IM TB-00001442 No.8350-1/3
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