Datasheet> 器件分类 > 二极管> 5082-2775

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5082-2775: 产品描述Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 400ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon,; 产品类别二极管; 文件大小36KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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5082-2775概述

Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 400ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon,

5082-2775规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明	S-XXMW-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最大二极管电容	0.18 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	MIXER DIODE
频带	X BAND
最大阻抗	400 Ω
最小阻抗	200 Ω
JESD-30 代码	S-XXMW-F2
最大噪声指数	6 dB
元件数量	1
端子数量	2
最大工作频率	18 GHz
最小工作频率	1 GHz
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	MICROWAVE
最大功率耗散	0.125 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子形式	FLAT
端子位置	UNSPECIFIED
肖特基势垒类型	LOW BARRIER
Base Number Matches	1

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5082-2775

SCHOTTKY LOW BARRIER DIODE

PACKAGE STYLE

DESCRIPTION:

The

ASI 5082-2775

is a Low Barrier

Schottky Diode designed for General

Purpose Mixer Applications.

FEATURES INCLUDE:

•

Small size

•

Low noise fugure

•

Batch Match of 20 units min.

MAXIMUM RATINGS:

DISS

STG

125 mW @ T

= 25 °C

-65 °C to +150 °C

1000 °C/W

NONE

CHARACTERISTICS

SYMBOL

SRW

TSS

= 25 °C

TEST CONDITIONS

DC Load Resistance = 0

Ω

L.O. Power = 1.0 mW

= 0 V

20µA Bias

Video Bandwith = 2.0 MHz

= -40 dBm

f = 10 GHz

= 30 MHz

MINIMUM

150

TYPICAL

MAXIMUM

6.0

350

1.5:1

UNITS

Ω

---

dBm

mV/µW

Ω

0.18

-44

1800

Minimum Batch size = 20 units

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1202

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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