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ISB-A27-0

产品描述Ultrathin Miniature Package 4-channel N-channel MOSFET Array
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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ISB-A27-0概述

Ultrathin Miniature Package 4-channel N-channel MOSFET Array

ISB-A27-0规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明GRID ARRAY, S-XBGA-B9
针数9
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置COMMON SOURCE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.15 A
最大漏极电流 (ID)0.15 A
最大漏源导通电阻11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XBGA-B9
元件数量4
端子数量9
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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