Ultrathin Miniature Package 4-channel N-channel MOSFET Array
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SANYO |
包装说明 | GRID ARRAY, S-XBGA-B9 |
针数 | 9 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | COMMON SOURCE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.15 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.15 A |
最大漏源导通电阻 | 11 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-XBGA-B9 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 9 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.33 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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