Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RUST2010

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RUST2010: 产品描述0.1 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小39KB，共2页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]; 标准

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RUST2010概述

0.1 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RUST2010规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	26 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e4
最大非重复峰值正向电流	5 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	10000 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	SILVER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE

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RUST

50ns ULTRA-FAST RECOVERY

HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES

PIV to 10,000 Volts

50ns ultra-fast recovery

Small size

Exceptionally low leakage

High surge capability

Avalanche characteristics

PRV

EDI SERIES

8 KV

RUST2008

10KV

RUST2010

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

=25

C Unless Otherwise Specified)

Average Rectified Forward Current @ 50 C, I

(Fig1)

100 mA

5 Amp

Max. Peak Surge Current, I

FSM

(8.3ms) (Fig.2)

Max. Reverse Recovery, T

, Fig.4

Max. Forward Voltage Drop @ 100 m

Max. DC Reverse Current @ PRV and 25 C, I

Max. DC Reverse Current @ PRV and100 C, I

Ambient Operating Temperature Range, T

Storage Temperature Range, T

STG

50ns

26 Volts

-55 to +150

NOTES:

1.It is recommended that a proper heat sink be used on the terminals of this device between the body and

soldering point to prevent damage from excess heat.

2.If operated over 10,000v/inch in length, devices should be immersed in oil or re - encapsulated.

EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.

RUST2010相似产品对比

	RUST2010	RUST	RUST2008
描述	0.1 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	26 V	-	26 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	5 A	-	5 A
元件数量	1	-	1
端子数量	2	-	2
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C
最大输出电流	0.1 A	-	0.1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	ROUND
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	10000 V	-	8000 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	-	0.05 µs
表面贴装	NO	-	NO
技术	AVALANCHE	-	AVALANCHE
端子形式	WIRE	-	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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