TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 50 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
元件数量 | 6 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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