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FTD2017R

产品描述N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FTD2017R概述

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

FTD2017R规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
表面贴装YES
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