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HTD5

产品描述0.05 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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HTD5概述

0.05 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

HTD5规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明R-PDIP-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)25 V
JESD-30 代码R-PDIP-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.05 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5000 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置DUAL

HTD5相似产品对比

HTD5 HTD HTD15 HTD30
描述 0.05 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.05 A, 15000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.05 A, 15000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.05 A, 30000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
包装说明 R-PDIP-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 25 V - 75 V 150 V
JESD-30 代码 R-PDIP-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 - 1 1
端子数量 2 - 2 2
最高工作温度 175 °C - 175 °C 200 °C
最大输出电流 0.05 A - 0.05 A 0.05 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - ROUND ROUND
封装形式 IN-LINE - LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 5000 V - 15000 V 30000 V
表面贴装 NO - NO NO
端子形式 WIRE - WIRE WIRE
端子位置 DUAL - AXIAL AXIAL

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