Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BRUS640

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BRUS640: 产品描述6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小56KB，共2页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]; 标准

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BRUS640概述

6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BRUS640规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	UL RECOGNIZED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JESD-30 代码	R-PSFM-W4
JESD-609代码	e4
最大非重复峰值正向电流	240 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	NO
端子面层	SILVER
端子形式	WIRE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE

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BRUS6

MINIBRIDGE

50 ns. ULTRA-FAST RECOVERY

8 AMPERES*

SINGLE-PHASE, FULL-WAVE BRIDGES

HEAT SINK CHASSIS P .C. BOARD MOUNTING

INTEGRALLY MOLDED

HEAT SINKS

PROVIDE LOW

THERMAL RESISTANCE

SPACE SAVING

IN-LINE DESIGN

This product has recognition under the component program of Underwriters Laboratories, inc.

PRV/LEG

TYPE No.

100V

BRUS610

200V

BRUS620

400V

BRUS640

500V

BRUS650

600V

BRUS660

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LEG

(at T

=25 C U nle ss O the rwis e Sp eci fie d)

Average Output Current, lo @ 65 C T

(Fig.1)

Average Output Current, lo @ 65 C T

(Fig.1)

Max.Forward Voltage Drop, V

=4.0A

Max.DC Reverse Current @ PRV and 25

, I

Max.DC Reverse Current @ PRV and 100

Max.Reverse Recovery Time,T

(Fig.3)

Max.Peak Surge Current, l

FSM

(8.3ms) (Fig.2)

Thermal Resistance (Total Bridge), R

BRUS6

1.3

200

240

6.0 typ.

-55 to+150

UNITS

Amps

Volts

Nanosec.

Amps

C/W

Storage Temperature Range, T

STG

Ambient Operating Temperature Range,T

Note 1:Derate Io by 20% for capacitive loads

EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.

BRUS640相似产品对比

	BRUS640	BRUS6	BRUS660
描述	6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
其他特性	UL RECOGNIZED	-	UL RECOGNIZED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	-	1.3 V
JESD-30 代码	R-PSFM-W4	-	R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流	240 A	-	240 A
元件数量	4	-	4
相数	1	-	1
端子数量	4	-	4
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
最大输出电流	6 A	-	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V	-	600 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	-	0.05 µs
表面贴装	NO	-	NO
端子形式	WIRE	-	WIRE
端子位置	SINGLE	-	SINGLE

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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