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BRUS1

产品描述3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB，共2页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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BRUS1概述

3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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BRUS1 BRUS5
MINIBRIDGE
50 ns. ULTRA-FAST RECOVERY
4 to 6 AMPERES
SINGLE-PHASE, FULL-WAVE BRIDGES
HEAT SINK CHASSIS PC BOARD MOUNTING
nt
ne
o
mp
co
BRUS1
e
r th inc.
3A PC MOUNTING
de
un ries,
4A HEAT SINK MOUNTING
ion to
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r
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is m
BRUS5
Th ogra
r
5A PC BOARD MOUNTING
p
6A HEAT SINK MOUNTING
PRV/LEG
BRUS1 SERIES
BRUS5 SERIES
50V
BRUS105
BRUS505
100V
BRUS110
BRUS510
200V
BRUS120
BRUS520
400V
BRUS140
BRUS540
500V
BRUS150
BRUS550
600V
BRUS160
BRUS560
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LEG
(at T
A
=25 C U nle ss O the rwis e Sp eci fie d)
Average Output Current, lo @ 60 C Tc (Fig.1)
Average Output Current, lo @ 80 C T
L
(Fig.2)
BRUS1 Series = 2A
Max. Forward Voltage Drop, I
F BRUS5 Series = 4A
O
O
SERIES DESIGNATION
BRUS1
4
3
1.3
10
200
50
100
-55 to+150
-55 to+150
7.7 typ.
8.7 typ.
o
BRUS5
6
5
1.3
10
200
50
240
UNITS
Amps
Amps
Volts
Max.DC Reverse Current @ PRV and 25
C
, I
R
Max.DC Reverse Current @ PRV and 100
C
,I
R
Max.Reverse Recovery Time,T
rr
(Fig.3)
Max.Peak Surge Current, l
FSM
(8.3ms) (Fig.2)
Storage Temperature Range, T
STG
Ambient Operating Temperature Range,T
A
-
Thermal Resistance (Total Bridge), R0 j-c
A
A
Nanosec.
Amps
o
C
C
o
C/W
NOTE: A thin film of silicone thermal compound is recommended between the Minibridge
case and mounting surface for improved thermal conduction.
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.

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厂商名称 - EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
包装说明 - S-PUFM-W4 - R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4
Reach Compliance Code - unknow - unknow unknow unknow unknow unknow unknow
其他特性 - UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 - ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1.3 V - 1.3 V 1.3 V 1.2 V 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 - S-PUFM-W4 - R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流 - 100 A - 240 A 240 A 240 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 - 4 - 4 4 4 4 4 4
相数 - 1 - 1 1 1 1 1 1
端子数量 - 4 - 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 - 3 A - 5 A 5 A 5 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - SQUARE - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 - FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 50 V - 50 V 200 V 500 V 500 V 400 V 100 V
最大反向恢复时间 - 0.05 µs - 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 - NO - NO NO NO NO NO NO
端子形式 - WIRE - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 - UPPER - SINGLE SINGLE SINGLE UPPER UPPER UPPER

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