HIGH SPEED 16 x 4 STATIC CMOS RAM WITH INVERTING OUTPUTS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.304 mm |
| 内存密度 | 64 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 16 words |
| 字数代码 | 16 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16X4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| P4C189-35PI | P4C189 | P4C189-35PC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | HIGH SPEED 16 x 4 STATIC CMOS RAM WITH INVERTING OUTPUTS | HIGH SPEED 16 x 4 STATIC CMOS RAM WITH INVERTING OUTPUTS | HIGH SPEED 16 x 4 STATIC CMOS RAM WITH INVERTING OUTPUTS |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Pyramid Semiconductor Corporation | - | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 零件包装代码 | DIP | - | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 | - | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 |
| 针数 | 16 | - | 16 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最长访问时间 | 35 ns | - | 35 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | - | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 19.304 mm | - | 19.304 mm |
| 内存密度 | 64 bi | - | 64 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | - | 4 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 16 | - | 16 |
| 字数 | 16 words | - | 16 words |
| 字数代码 | 16 | - | 16 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 16X4 | - | 16X4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | - | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
stm32/stm8
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